国产高端半导体检测设备正式发布：多项性能指标超越国际同类产品

快科技6月29日讯据“科大硅谷”官方公众号披露，国产高端合肥重点培育企业——安徽凌光红外科技有限公司（以下简称“凌光红外”）正式推出LUXETVERITAS微光显微镜及激光诱导电阻变化（EMMI+OBIRCH）二合一集成化电性失效分析设备。半导备正布多标超

这一国内首创的体检高端检测仪器问世，标志着我国在集成电路自主可控领域迈出关键一步，测设为芯片研发与制造注入强劲动力。项性

行业背景：先进制程下的越国失效分析挑战

随着全球半导体产业全面进入先进制程时代，芯片内部结构呈现极高的际同精密性与复杂性。在此背景下，类产电性失效分析已成为决定芯片研发迭代速度、国产高端提升生产良率以及保障产品品质的半导备正布多标超核心环节。

技术突破：正向研发填补国内空白

凌光红外长期深耕光学成像与精密检测领域，体检坚持正向研发路线，测设持续攻克电性失效分析核心技术。项性此前，越国公司已陆续推出锁相红外显微镜、际同微光显微镜、激光诱导电阻变化显微镜等系列产品，其多项关键性能指标已超越国际同类产品。

此次发布的LUXETVERITAS二合一设备，实现了技术融合创新，成功填补了国内市场在高端集成化电性失效分析设备领域的空白。

核心亮点：双模融合，全链条覆盖

LUXET VERITAS二合一显微镜深度融合了EMMI（微光检测）与OBIRCH（激光诱导电阻变化）两大主流失效分析技术，具备“一机两用、高度集成”的特点，能够全面覆盖半导体全产业链的检测需求。

1. EMMI模块：精准定位微弱漏电

• 硬件配置：搭载深度制冷近红外相机与大口径自研1.35倍物镜。
• 性能表现：可精准定位纳安级微弱漏电，高效识别PN结击穿、闩锁效应、栅极氧化层漏电、多晶硅缺陷等典型失效问题。

2. OBIRCH模块：超高精度缺陷排查

• 硬件配置：采用1300nm标准激光波段，额定功率达500mW。
• 性能表现：实现pA级超高精度电流放大测量，精准排查金属线路、导通孔、接触孔阻值异常等隐蔽缺陷。

产业化进展：获多项权威认定，深化本地合作

自2025年落地合肥科大硅谷片区以来，凌光红外加速推进核心技术的产业化进程。多款产品先后荣获合肥市“三新”产品认定，并获得安徽省首台套重大技术装备“国际先进”认定。

依托产业链专场场景对接会，凌光红外已与合肥半导体产业链的链主企业实现精准对接，并逐步建立起稳定的合作关系。这一系列举措，为国产高端半导体检测设备在本地产业链中的广泛应用与推广奠定了坚实基础。