模拟芯片大厂秀AI电源方案 被动元器件、CIS企业“向光而行”｜直击慕尼黑上海电子展

《科创板日报》7月2日讯（记者 郭辉） 2026慕尼黑上海电子展于7月1日在上海浦东盛大开幕。向光而行

本届展会汇聚了意法半导体、模拟安森美、芯片秀恩智浦、大厂I电动元电展英飞凌、源方业直德州仪器等国际半导体巨头，案被以及圣邦股份、器件S企纳芯微、击慕思特威、尼黑希荻微、上海锴威特、向光而行昀冢科技等国内领军企业。模拟各家企业纷纷发布新品或展示核心产品，芯片秀覆盖模拟芯片、大厂I电动元电展功率半导体、源方业直MCU、光通信及汽车电子等关键领域。

随着AI数据中心迈入万卡、十万卡集群时代，单机柜功率呈指数级攀升，传统供电架构在效率、散热及空间利用率上面临严峻挑战。数字电源、高压供电架构及高性能功率器件成为展会焦点。与此同时，受产业链供给紧缺与技术突破双重驱动，MLCC（多层陶瓷电容器）及光通信环节的热度同样居高不下。《科创板日报》记者深入现场，为您带来一线深度报道。

海外巨头发力：数据中心全栈电源管理方案成标配

德州仪器（TI）在2026慕尼黑上海电子展上，集中展示了其在模拟与嵌入式处理技术领域的创新成果，涵盖电动汽车、智能互联、医疗、工业自动化、人形机器人、数据中心及能源基础设施等场景。

记者观察到，德州仪器展台的核心亮点是面向未来需求的数据中心全栈电源管理产品组合，以及新一代住宅、商业和电网级系统。其中，800V转6V DC/DC计算托盘配电板成为焦点。该产品兼容顶部冷板液冷方案，采用模块化功率级设计，能在更紧凑的体积内扩展至更高功率。此外，其面向新一代AI服务器的800V高功率密度电源（PSU）采用三电平PFC拓扑，进一步拓宽了TI 650V氮化镓（GaN）器件的应用边界。

德州仪器展出AI数据中心电源管理方案

“800V电源管理属于行业新兴架构，该思路由英伟达率先提出。德州仪器较早布局并积累了大量市场反馈。”德州仪器展台工作人员表示，目前海外头部云服务商（CSP）均已开展相关规格的算力集群设计，而国内厂商在整体推进节奏上相对滞后。

该工作人员指出，对比之下，大多数国内厂商仅能提供分立器件或驱动芯片等单一零部件，而能提供一站式800V整体电源方案的仍主要集中在德州仪器、意法半导体、英飞凌等海外巨头。

此外，德州仪器还展示了近期发布的高精度电池管理新品及配套方案，包括用于电动汽车与储能系统的BQ79826Z-Q1电池监测器，以及面向工业、数据中心及精密测量市场的全新精密运算放大器系列。

意法半导体（ST）在本届展会上展示了50余款创新产品及解决方案，覆盖人形机器人、汽车、工业、智慧生活及宽禁带技术等领域。其首次设立专门的宽禁带产品专区，展示最新的GaN和SiC器件及解决方案，旨在提升工业、能源和汽车应用中的电能转换效率。

值得关注的是，意法半导体重点推出了5.5kW AI服务器电源解决方案。该方案采用两相交错图腾柱拓扑结构与三相半桥交错LLC拓扑，变压器绕组采用三角形连接设计。凭借全数字控制器和TOLL封装的碳化硅（SiC）MOSFET，该平台在满足ORV3标准的同时，实现了高效率与高功率密度的平衡。

意法半导体还展示了面向数据中心的新兴800V DC架构，包括专为NVIDIA 800V DC参考设计打造的800V转50V/12V/6V DC-DC转换解决方案，其中800V直流转至50V及12V方案为中国市场首秀。

英飞凌（Infineon）携近百款展品亮相，聚焦人工智能、机器人、软件定义汽车、电动出行、能源基础设施及安全六大领域。在“英飞凌赋能AI”特别展区，英飞凌展示了面向高性能计算的18kW三相输入电源方案。该方案基于碳化硅五电平ANPC拓扑，结合能量缓冲电路与LLC谐振变换器，采用氮化镓同步整流及平面变压器架构，由新一代PSOC P8 MCU控制，旨在满足AI服务器及数据中心对高效率、高可靠性供电的严苛需求。

功率半导体赛道：竞争加剧，共同应对产能紧缺

“从展会现场可以看出，功率半导体的市场行情确实发生了变化。”锴威特展台工作人员向《科创板日报》记者坦言，今年参展的功率厂商数量激增，且不同厂商的产品重合度极高，行业技术路径趋于集中，方案同质化现象明显，这与过去几年行业“内卷”密切相关。

该工作人员表示，竞争焦点已从单纯的产品差异转向服务与售后。“几年前是等客户上门，现在我们需要主动出击，将技术人员深度绑定不同客户，以‘天’为单位响应需求，才能赢得客户满意。”

锴威特专注于消费类及工业类功率产品，后者涵盖工业高压特种电源、电源模块及大型电机驱动芯片。在展台中心，锴威特展示了电机驱动功率部分的系统解决方案，并透露其也在为服务器配套电源提供支持。

在与多家功率半导体厂商的交流中，供应链缺货成为高频话题。锴威特工作人员指出，今年无论是消费类还是工控类产品，均面临材料价格上涨和全行业产能紧缺的压力，但预计国内市场业务利润将有所改善。

锴威特展出其电机驱动功率部分的系统解决方案

“尽管服务器功率类产品热度高，但从出货量看，消费类占比更大。一块板上通常需使用十几甚至二十块功率芯片。”该工作人员分析道，“MOS产品极度消耗原片，今年生产端供应紧缺，高端功率项目常面临Fab厂产能不足的问题。相比之下，消费类产品虽利润较薄，但更利于上游供应链管理。”

希荻微展台重点展示了单通道40V车规级高边开关芯片、八通道28V车规级高边/低边开关芯片等多款产品。据工作人员介绍，依托丰富的车规级高低边开关芯片矩阵，希荻微在该细分领域的综合实力已跻身全国前列，相关产品已导入多家国内头部车企及海外知名汽车品牌供应链。

希荻微展出单通道40V车规级高边开关芯片等产品

今年3月，希荻微完成对深圳诚芯微的全资收购。在本次展会上，希荻微特别展示了诚芯微的端侧AI电源解决方案，适用于汽车仪表盘、家电彩屏控制、GPU芯片I/O口供电及服务器EPU单元等场景。工作人员透露：“服务器相关产品刚推出不久，正与厂商紧密配合调试，已实现小批量出货。”

值得注意的是，希荻微展位面积相对紧凑。工作人员解释，受限于产品线紧张的供应状况，部分业务部门甚至无法携带实体样品参展。“此次参展旨在随着重要收购落地及新品类扩充，向长三角市场传递全新的品牌与技术形象。待明年新产品完成验证并量产、业务线梳理完毕后，参展准备将更加充分。”

该工作人员进一步表示，目前公司多条产品线供不应求：汽车芯片订单同比翻倍，接口芯片需求火爆；消费类业务则借力大客户优势，成功打入海外龙头供应链，应用场景从手机拓展至可穿戴设备及PC领域。在上游晶圆产能扩充缓慢的背景下，希荻微正与战略合作晶圆厂深度绑定，以获取更多产能支持。

被动元器件大厂：产能失衡，价格暴涨

在慕尼黑上海电子展N1馆，汇集了村田、太阳诱电、TDK三家外资被动元器件龙头。

展会现场，一家深圳电容厂商向《科创板日报》记者透露，电容上游供应已严重失衡。目前，国内MLCC产能占比不足10%，而三星、村田、太阳诱电三家合计占比接近八成。随着海外大厂将大量消费类产能转向AI相关物料（仅三星就将至少30%产能转做AI），行业估算国内产能需翻两到三倍才能填补缺口。“电容电阻等被动元件今年价格普遍上涨三到四倍，部分大容量电容涨幅甚至达10倍，但客户为保障生产，仍会下单。”

村田（Murata）展台展示了多款电容、电感、连接器、电源模块及传感器，覆盖通信及计算算力、车载、工业及环境、人形机器人等重点领域。

在电容产品方面，村田重点展示了用于光模块的硅电容及硅集成器件。该产品采用3D结构提高电容密度，实现更高静电容值。此外，村田还展示了用于AC耦合的宽频硅电容、用于DC去耦的硅电容及定制化硅基板等方案。相比传统陶瓷电容，硅电容方案可大幅节省板上空间，提高集成度，其波导设计更确保了有限空间内的良好稳定性与超高频性能。

昀冢科技展台聚焦电子产业高端应用需求，展示了在电子陶瓷、精密封装及智能控制领域的技术创新成果。

产品方面，昀冢科技现场展出多款MLCC多层陶瓷电容器，并首发三款全新规格新品：0201 X5R 100nF/10V超微型MLCC、1206 X5R 10μF/50V高压高容型号、1206 X7R 10μF/25V宽温稳定型产品。

据介绍，昀冢科技全系MLCC产品依托自主陶瓷粉末配方、精密薄层堆叠等核心技术，具备高容值、高稳定性、低损耗等优势，广泛适配消费电子、汽车电子、AI服务器及工业通信等领域。

昀冢科技展出其高容产品，可匹配车载中控车机等需求

昀冢科技展台工作人员表示，AI服务器通常需要使用高容产品，这会导致叠层数量增加，挤压现有叠层产能。例如，部分超高容产品叠层数高达800层，而消费电子类电容仅一两百层。“从商业逻辑看，超高容产品附加值更高，头部企业会倾斜产能，导致中低端产品出现巨大缺口。”

今年6月，昀冢科技宣布启动15亿元MLCC扩产计划，分两期实施。工作人员介绍，新项目主要以高容、超高容产品为主。“我们预计未来两年行业供需状况将发生变化。当前的火热必将吸引市场资金及新厂商入局，且新进入者多以低端产品为主，预计低端产能将遍地开花。而经过前几年成长铺垫，昀冢科技工艺已完成多轮迭代，需建立更高的发展目标及竞争优势。”

光通信与CIS创新：思特威首展MicroLED光互连，纳芯微发布多款新品

在思特威展台，记者关注到其发布的MicroLED光互连系统Demo及测试眼图演示，吸引了大量行业从业者驻足交流。

思特威展示MicroLED光互连系统Demo

今年5月，思特威宣布与紫光展锐合作，围绕MicroLED高速光互连进行联合开发，标志着思特威正式从成像感知向AI互连领域延伸。

思特威展台工作人员表示，MicroLED光通信方案中的PD（光电二极管）接收模块与CIS的PD类似，且其中的TIA放大电路、驱动IC均可复用公司已有技术经验。关键在于MicroLED光通信需采用异质集成工艺，“目前旗舰机型主摄方案多采用三层Wafer堆叠，公司在MicroLED光通信的两层堆叠上具备技术优势”。

现场演示的MicroLED光互连系统Demo构建了一套完整的链路验证系统，采用GaN外延结构，结合优化的MicroLED器件结构设计及微纳加工工艺，可制备出高调制带宽的微米级发光单元。该方案可实现单通道非归零（NRZ）调制下最高3Gbps的数据传输速率，典型工作条件下传输速率为2.4Gbps，功耗低至0.8pJ/bit，驱动电流密度控制在≤500A/cm²，在长时间连续运行下具有优异的热稳定性和可靠性。

思特威工作人员进一步介绍，Demo演示了单通道3Gbps传输速率，后续可通过10x10阵列（共100个通道）形成整体300G带宽的光互连产品，主要应用于数据中心机柜互联。“所需的光通信芯片预计今年年底回片，明年上半年小批量送样。”

相比EML方案，MicroLED存在光发散问题。思特威解决方案在LED发射环节进行光学聚合与光耦合，实际工作中可减少误码。“理论上MicroLED光通信阵列还可继续扩充，这是接下来需攻克的技术难点。”

在纳芯微展台，一场新品发布会刚刚结束。纳芯微集中发布了多款面向汽车电子和泛能源应用的数模混合芯片新品，包括：
* 车规级阳光雨量传感器NSUC183x系列
* 车载摄像头PMIC NSR90332XX-Q1
* 三核EtherCAT实时控制MCU/DSP NS800RTA7系列
* 110V半桥GaN驱动芯片NSD2123

据介绍，纳芯微本次发布与展示产品覆盖车载视觉供电、智能座舱感知、工业实时控制、AI服务器电源、消费电子位置检测、白电环境检测和液位检测等场景，公司正持续完善数模混合芯片产品组合与应用支持能力。

（科创板日报记者 郭辉）